Appareillage de tests pour wafer MRAM par Hprobe
L’un des objectifs du CEA-SPINTEC est de réaliser des mémoires magnétiques à accès aléatoire (MRAM) basées sur les effets d’électronique de spin. De telles mémoires ont une stabilité thermique améliorée, une consommation d’énergie inférieure et/ou une commutation plus rapide par rapport aux RAM à base de semi-conducteurs. L’écriture par transfer de spin dans des cellules MRAM perpendiculaires permet de grandes valeurs de stabilité thermique, tout en maintenant un faible courant critique via la réorientation thermique des couches de stockage d’anisotropie perpendiculaire. L’optimisation des dispositifs MRAM repose sur la caractérisation magnétométrique. Par conséquent SPINTEC a récemment donné naissance à une start-up nommée Hprobe qui offre un système automatisé de test électrique de wafer MRAM grande vitesse, incluant un générateur de champ magnétique 3D.